高純度重慶鎂磚是高溫爐(lú)爐襯的結構材料(liào),其使用溫度可達到2200℃。但是(shì),在這(zhè)種條件下(例如炭黑反應器中(zhōng)的超高溫環境中)應用(yòng)時,高純鎂磚的(de)鑄砂純度和性能卻需要進行仔細平衡。
我們知道,耐火材料(包括鎂質(zhì)耐火(huǒ)材料)不隻是要耐高溫和耐腐蝕(shí)/侵蝕,在使用時還必須盡可能不(bú)產生(shēng)變化。一般認為重慶鎂砂(shā)純度(dù)以及物理性能(néng)上的氣(qì)孔(kǒng)率和方(fāng)鎂石晶粒尺寸等都是提高高純鎂磚使用(yòng)壽命的關鍵參數。
純度
鎂砂中MgO含量(liàng)是鎂砂質量的重要指標。但隻(zhī)用MgO含量作為評(píng)價標準是不夠的,雜質的相對含量,特別是那些在高溫條(tiáo)件下容易形成熔體的成分的含(hán)量也很重要。在雜質成分中,首先是B2O3和SiO2,其次是Al2O3、Fe2O3、MnO以及CaO,它們的影響不僅取決於(yú)其含量,特別是要(yào)根據CaO/SiO2比來評(píng)價各(gè)成分對鎂砂質量的影響,通常希望(wàng)鎂砂中具有(yǒu)高CaO/SiO2比,以便(biàn)獲得更佳的高溫性能。
在超高溫環境中使(shǐ)用的鎂質耐火材料則需要高純度:因為高純度的鎂質耐火材料具有高(gāo)的高溫強度,試驗(yàn)證明,鎂質耐火材料的高(gāo)溫抗折強度隨MgO含(hán)量由90%~98%有緩慢下降的趨勢(shì),但MgO含量超過98%時則突然增加了,其(qí)中MgO含量(liàng)增加到99%以上(shàng)時能顯(xiǎn)著(zhe)地提高其高溫強度在這種情況下,雜質種類的影響已(yǐ)經變得無足輕重(chóng)了因為在這種情況下,雜質孤立存在於方鎂石晶粒交接處(角隅),所以MgO-MgO直接結合(hé)組(zǔ)織發達,高溫強(qiáng)度(dù)大,材料的耐磨性高,抗腐蝕/侵蝕性強。
致密度(氣孔(kǒng)率)
耐火材料的相對密度μ與氣(qì)孔率ε存(cún)在下述關係:
ε=1-μ
這表明低氣孔率的材(cái)料(liào)具有高密度,所以(yǐ)氣孔率逛材料致密度的一種尺度。它們對材料的蝕損有影響(xiǎng)。評價氣孔率的標準為:
(1) 氣(qì)孔的體(tǐ)積(致密度,即總氣孔率ε);
(2) 氣孔的種類(封閉(bì)氣孔比開口氣孔有利;
(3) 氣孔尺(chǐ)寸和形狀(zhuàng)(比(bǐ)表麵積)。
方鎂石晶粒大小
方鎂石晶粒的侵蝕(shí)是外來成分(物質)在界麵開始的。因此,方接石晶粒增大,相應降低了(le)比表麵(miàn)積。可見(jiàn),增加(jiā)方鎂石晶粒尺寸降低了鎂質耐火材(cái)料被(bèi)侵(qīn)蝕的趨勢,表明粗晶燒結鎂砂(shā)具有高抗侵蝕的優點。
電熔是生產大晶粒鎂砂的(de)根本方法。重慶電熔重慶鎂砂同燒結鎂砂相比,具有如下優點:
(1)致密(mì)化程度好(除去外殼(ké)材(cái)料(liào)的熔觸鎂砂幾乎沒有開口氣孔);
(2)方鎂石(shí)晶粒較大(尤其是塊(kuài)料冷卻適當時)。
對於燒(shāo)結鎂砂而言,可以采取下述技術(shù)措施來增加方鎂石晶(jīng)粒尺寸;
(1)早期的技術措施有
1)添加Cr2O3,通過增大方鎂石晶格的遷(qiān)移率以增大晶粒尺寸和促進致密化;
2)以TiO2:和Fe2O3通過過渡液相培育大晶粒;
3)在豎窯(yáo)中更高溫度下加入氧化物煆燒(shāo),達到大的晶粒。
實際生產中,為了促進方鎂(měi)石晶粒長大,常使用少量(小於0.5%)Cr2O3、Fe2O3尤其是ZrO3以及鈦、釩、錳、鋁、銅(tóng)的氧化物和鹽。稀土元素促進晶粒長大,但機(jī)理是不同的。
(2)以天然微晶菱鎂石(shí)為原料在豎窯中以非常高的溫度燒(shāo)結可獲得方(fāng)鎂石晶粒尺寸從50μm到大200μm的優質燒結(jié)鎂砂。
通過以上分析可以認(rèn)為,選擇(zé)純度98.5%-99%MgO、體積密度大於3.35g/cm3、方鎂(měi)石晶粒尺寸為50μm到200μm的優質鎂(měi)砂生產的特種高(gāo)純度鎂質耐火製品可與炭黑反成器中超高溫(2100℃)區域的操作條件相適應,而高溫(1725-1925℃)區域則選用97.5%~98%MgO的鎂質耐火製品(pǐn)築襯,進行分區砌築便於(yú)獲得較(jiào)佳的經濟/技術效(xiào)果。在(zài)炭(tàn)黑反應器連(lián)續操作的條件下證明其使用壽命是充分的。然而(ér),當爐(lú)子(zǐ)操作條件難以(yǐ)保證連續操作時,由於剝落所引起的爐襯不連續損毀卻(què)是導致其(qí)使用壽命並並不十分理想的重要原因。